PIN光电二极管在常规混合集成电路接收芯片尺寸的9平方毫米及其量子效率在950nm，波长为0.88 。这被一点八平方毫米并且在当前的两极化进程不需要额外修改的PN光电二极管所取代。当前的IP是由于来自两个不同地方的少数载流子垂直结构的PN结造成的; 一个目前漂移在耗尽层而另一个则扩散在组件的其他部分。图2显示了当给予信号输入脉冲时少数载流子分布的光电二极管的PN的照片。950nm，红外遥控系统最常见的波长, 渗入深度为22pm。和这个相比,由于不纯集中和标示挫折-倾向电压,损耗层在1pm周围.所以产生的载波的大约5%捐献给了漂移电流. 偏移电流给予更快的响应以换取少数载流子在损耗层中的足够快的移动。另一方面,扩散电流成分给予更慢的反应.但是当红外信号频率低(见图3)的时候,它仍然是很大的. PN 光电二极管能提供和PIN 光电二极管最相似的电流.