霍尔传感器是基于霍尔效应的。因为电场的原因，半导体都是在内部进行的。由于外部磁场的存在，洛伦兹力迫使原始电子做短距离的定向移动而累积在半导体的一边。一个成为霍尔电动势的电动势就是这样由来的。从理论上讲，测量磁场是可以实现的。但是，半导体的传导率和漂移特性是很容易被温度影响的。霍尔传感器的内阻和输出随温度的改变而改变。本文研究了霍尔传感器的温度特性。在这时候，设计和使用一个温度补偿电路可以减少温度造成的影响，这可以使输出更加精确。
关键词：霍尔传感器，磁场，温度补偿
1. 绪论
霍尔传感器是由半导体材料制作而成的一个磁感应单元。该传感器是个小而简单的结构。它的频率响应很宽和动态范围很大。可靠性高、寿命长、体积小和集成度高都是它的优点。但是，半导体的电导率和偏移特性很容易受到温度的影响。本文研究了霍尔传感器的温度特性和通过温度补偿改善了该传感器的精确度。
把半导体材料放在电流垂直与磁场的环境当中。因为电场的原因，内部的半导体处于工作状态。这些自由电子会沿着导线移动。但是由于外部磁场的存在，洛伦兹力迫使底层电子定向移动，并且在半导体的一边积累下来。一个称为霍尔电动势的电动势就这样形成了。假设霍尔传感器是N型半导体。磁场B的方向向上垂直于面板。
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